性能簡述

設備簡述KC3120功率半導體動态參數測試系統可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動态參數測試，如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、栅極總電荷、栅源充電電量、平台電壓、反向恢複時間、反向恢複充電電量、反向恢複電流、反向恢複損耗、反向恢複電流變化率、反向恢複電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉移電容、短路。通過更換不同的測試單元以達到對應測試内容，通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項目及配置測試參數、 讀取保存測試結果。