設備簡述

KC3120功率半導體動态參數測試系統可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動态參數測試，如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、栅極總電荷、栅源充電電量、平台電壓、反向恢複時間、反向恢複充電電量、反向恢複電流、反向恢複損耗、反向恢複電流變化率、反向恢複電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉移電容、短路。

通過更換不同的測試單元以達到對應測試内容，通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項目及配置測試參數、 讀取保存測試結果。

參考标準

IEC 60747-8/9 半導體分立器件第8/9部分/JEDEC标準

設備特點

KC-3120系 統 包 含 ： 硬 件 平 台 + 實 時 軟 件 ， 其 中 硬 件 平 台 包含 ： 信号源（模塊）、FTP低壓電源、FTP高壓電源、示波器、測量采集控制模塊、測試夾具（可加熱）等，主要特點如下:

高靈活度：多種驅動闆配置，覆蓋高壓／中壓／低壓器件測試和雪崩測試（可選）；

高精度測試：高共模仰制比的高壓差分光隔離探頭（可選）滿足SiC/GaN半導體器件更高母線電壓和更快開關時間的測量挑戰要求；低回路電感策劃（＜5OnH寄生電感）；

高效率：可進行開關參數／動态栅極電荷／動态導通電阻／短路／雪崩測試，單次測試即可完成開關特性和反向恢複特性測試；

具備數據管理性能，上位機可達成數據曲線、報告及自動保存；

保護性能：具備器件防呆，對于帶電、高溫開箱、測試參數異常、驅動電路異常可達成保護性能，

内部模塊化策劃，幫助幫助擴展外接标準儀表，客制化；

軟件系統

技藝參數