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功率循環測試(Power Cycling Test)概論
來源:金凱博集團 發布時間:2025-05-22 類别:工業動态
信息摘要:

功率循環測試是一種可靠性測試方法,通過反複施加和切斷功率(如電流、電壓或溫度變化),模拟電子器件在實際工作中的開關狀态,評估其在熱機械應力下的耐久性和失效機制

1. 定義與目的

功率循環測試是一種可靠性測試方法,通過反複施加和切斷功率(如電流、電壓或溫度變化),模拟電子器件在實際工作中的開關狀态,評估其在熱機械應力下的耐久性和失效機制。 

核心目标:

檢測材料疲勞(如焊點裂紋、金屬遷移)。評估器件壽命(如功率半導體、LED、電池)。

驗證熱管理策劃的有效性(如散熱性能)。

2024年工業背景:

全球半導體市場在生成式AI、汽車電子、物聯網(IoT)及5G+技藝驅動下呈現強勁增長。同時,地緣政治因素加速供應鏈重構,國産替代進程加快,國内集成電路出口突破萬億大關。第三代半導體(SiC/GaN)成爲國際競争焦點,各國加快戰略布局,推動功率電子器件向更高性能、更高可靠性擴展,功率循環測試的重要性進一步提升。

2. 測試原理

功率循環通過主動加熱(通電)→冷卻(斷電)的循環,引發材料因熱膨脹系數(CTE)不匹配導緻的應力積累,最終可能引發失效。

 

關鍵參數:

ΔT(溫度變化幅度):溫差越大,應力越顯著。

循環頻率:高頻循環加速老化,但需避免非實際工況。

占空比(Duty Cycle):通電與斷電時間比例影響溫升速率。

2024年趨勢:

随着第三代半導體(SiC/GaN)在新能源汽車、數據核心等範圍的廣泛應用,功率循環測試需适應更高開關頻率、更高溫度(>200°C)的挑戰,測試标準持續演進。

3. 典型測試對象

應用範圍 測試器件 常見失效模式

功率電子(IGBT/SiC) 車規級模塊、逆變器 焊層剝離、鋁鍵合線斷裂

AI/數據核心 GPU/CPU供電模塊 熱阻劣化、PCB翹曲

新能源汽車 電驅系統、快充電池 電極材料老化、熱失控

5G/6G通信 射頻功放(GaN) 栅極退化、界面分層

2024年新增需求: 

生成式AI推動高算力芯片測試需求,功率循環需結合多芯片封裝(Chiplet)的複雜熱管理。

汽車電動化加速SiC器件測試标準(如AEC-Q101)叠代,以适應800V高壓平台。

4. 測試标準與方法

國際标準:

JEDEC JESD22-A104(電子器件溫度循環)。

AEC-Q101(汽車級功率半導體認證)。

IEC 60749-25(半導體器件機械應力測試)。

新興标準:

第三代半導體專項測試(如SiC動态老化測試)。

中國工業标準(國産替代推動自主測試體系)。

2024年方法演進:

AI輔助測試:利用機器學習預測失效點,縮短測試周期。

多應力耦合測試:結合功率循環+機械振動+濕度(如車載環境模拟)。

5. 失效分析與工業挑戰

分析技藝:

高分辨率X射線(納米CT)、原位熱成像(IR)、聲發射監測。

2024年挑戰:

地緣政治影響:供應鏈本土化要求測試設備國産化(如國産ATE系統)。

技藝瓶頸:寬禁帶半導體(GaN/SiC)的高溫、高頻失效機制尚未完全明确。

6. 總結與展望

功率循環測試是高可靠性電子系統開發的核心環節,2024年工業在AI、汽車電子、第三代半導體的推動下,測試需求持續增長。未來趨勢包括: 

标準化與國産化:中國加快自主測試标準制定,減少對外依賴。

智能化測試:AI+大數據加速壽命預測與失效分析。

多物理場耦合:模拟真實複雜工況(如車載振動+溫度循環)。

實例參考:

某國産SiC模塊通過10萬次功率循環(ΔT=150°C),優化封裝工藝後出口份額提升30%。

頭部AI芯片廠商采用AI建模,将測試周期縮短50%,加速商品上市。